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O: Oberflächenphysik

O 24: Teilchen und Cluster (I)

O 24.8: Vortrag

Dienstag, 27. März 2001, 18:00–18:15, K

Molekular-Dynamik Simulation der Deposition von energetischen Silicium Clustern auf Graphit — •Rolf Neuendorf¹, Richard E. Palmer¹ und Roger Smith² — ¹Nanoscale Physics Research Laboratory, The University of Birmingham, Birmingham B15 2TT, United Kingdom — ²School of Mathematics and Physics, Loughborough University, Leicestershire LE11 3TU, United Kingdom

Mikrokanonische Molekular-Dynamik (MD) Simulationen unter Verwendung klassischer Wechselwirkungspotentiale wurden benutzt, um die Deposition kleiner Silicium Cluster (3 bis 200 Atome / Cluster) auf eine Graphit-Oberflaeche zu untersuchen. Die Cluster wurden mit kinetischen Energien von 0.5 eV bis zu 100 eV pro Atom deponiert. Das Depositionsverhalten kann in zwei verschiedene Bereiche eingeteilt werden: i) Deposition bei niedrigen Energien fuehrt zum "soft landing" der Cluster und im Fall kleiner Klasse zur Formung zusammenhaengender 2-dimensionaler Inseln ii) Bei der Depostion mit hohen Energien werden die Cluster in das Substrat implantiert. Die Eindringtiefe (als Funktion der Energie und der Partikelgroesse) laesst Rueckschluesse auf den Implantationsmechanismus zu. [1] R. Neuendorf, R. E. Palmer, R. Smith, Appl.Phys.Lett.77(19), 3003 (2000)