Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 25: Postersitzung (Grenzfl
äche fest-flüssig, Methodisches, Nanostrukturen, Organische Dünnschichten, Rastersondentechniken, reine Oberfl
ächen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Sonstiges)

O 25.43: Poster

Mittwoch, 28. März 2001, 15:00–18:00, Foyer zu B

Optimiertes Verfahren für die Herstellung von Aperturen — •Georgie Georgiev, Alexander Vollkopf, Dirk Albert und Egbert Oesterschulze — Universität Kassel, Institut für Technische Physik, Heinrich-Plett Str. 40, 34132 Kassel

Der Prozess der thermischen Oxidation von einkristallinem Silizium bietet die Möglichkeit, Aperturen von etwa 170 nm Größe reproduzierbar in Oxidfilmen zu integrieren [1]. Eine Anwendung dieser Aperturen liegt im Bereich der optischen Nahfeldmikroskopie. So werden metallisierte Aperturen mit Aperturgrößen von etwa 60-80 nm Größe in hohle getaperte Wellenleiterspitzen integriert und mit einem Cantilever oder einer Fasersonde kombiniert [2].

Der äußerst komplexe Standardprozess der thermischen Oxidation von Silizium wird im Detail untersucht. Der Schwerpunkt liegt bei der numerischen Beschreibung der mechanischen Streßverteilung in dünnen thermisch gewachsenen Oxidschichten und die sich daraus ergebenden Konsequenzen für das Filmwachstum. Dabei wird deutlich, daß Silizium als Maxwellflüssigkeit unter dem Einfluß einer nicht-linearen Viskosität gemäß dem Eyring-Modell beschrieben werden muß. Prozessbegleitende Simulationen und experimentelle Ergebnisse werden präsentiert.

[1] C. Mihalcea, A. Vollkopf, E. Oesterschulze, J. Electrochemical Society 147(5), 1970, 2000. [2] A. Vollkopf, O. Rudow, T. Leinhos, C. Mihalcea, E. Oesterschulze, Jour. Microscopy 194(Pt 2/3), 344, 1999.