Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 25: Postersitzung (Grenzfl
äche fest-flüssig, Methodisches, Nanostrukturen, Organische Dünnschichten, Rastersondentechniken, reine Oberfl
ächen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Sonstiges)

O 25.62: Poster

Mittwoch, 28. März 2001, 15:00–18:00, Foyer zu B

Photoelektronenbeugung zur Strukturanalyse von SiC und AlN — •Aimo Winkelmann, Bernd Schröter und Wolfgang Richter — Institut für Festkörperphysik, Friedrich-Schiller-Universität, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena

Die Beugung von Photoelektronen im Energiebereich um 1keV an SiC-Oberflächen verschiedener Polytypen sowie an AlN-Oberflächen wurde mit einem Einfachstreumodell berechnet und mit experimentellen Daten verglichen. Ausgewertet wurden die Si2p- und C1s-Elektronen des SiC beziehungsweise die Al2p- und N1s-Elektronen des AlN bei Anregung mit MgK- oder AlK-Röntgenstrahlung. Die experimentell bestimmten Beugungsmuster werden durch die Einfachstreurechnungen gut beschrieben. Die SiC-Polytypen 2H, 3C, 4H und 6H können durch ihre Photoelektronenbeugungsmuster unterschieden werden. Die Polarität der Proben kann durch Messung von Intensitätsverhältnissen in charakteristischen Richtungen ermittelt werden. Die Beugungsmuster werden im Polarwinkelbereich bis 70^∘ von der vorhandenen Oberflächenrekonstruktion nicht beeinflusst. Die Beugungsmuster von 2H AlN können als Testfall für 2H SiC benutzt werden.