Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 25: Postersitzung (Grenzfl
äche fest-flüssig, Methodisches, Nanostrukturen, Organische Dünnschichten, Rastersondentechniken, reine Oberfl
ächen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Sonstiges)
O 25.69: Poster
Mittwoch, 28. März 2001, 15:00–18:00, Foyer zu B
Nanostrukturiertes Wachstum von Mn und V Clustern auf ultradünnen Al2O3-Filmen auf Ni3Al(111) — •Almut Wiltner1, Kirsten von Bergmann2, Axel Rosenhahn1, Jörg Schneider1, Conrad Becker1, Marko Kralj3, Petar Pervan3, Milorad Milun3 und Klaus Wandelt1 — 1Institut für Physikalische und Theoretische Chemie der Universität Bonn, Wegelerstr. 12, D-53115 Bonn. — 2Institute of Applied Physics and Microstructure Research Center, University of Hamburg, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg — 3Institute of Physics, Bijenicka c. 46, P.O.Box 304, HR-10000 Zagreb, Croatia.
Es hat sich gezeigt, daß ultradünne Aluminiumoxidfilme auf
NiAl-Legierungen geeignete Substrate für die Herstellung von
Modellkatalysatoren darstellen. Auch auf Ni3Al(111) können dünne und
hochgeordnete Aluminiumoxidfilme präpariert werden [1]. Im
Rastertunnelmikroskop (STM) treten bei Biasspannungen im Bereich des
Leitungsbandes periodische Überstrukturen in einem Abstand von 2,7 nm
bzw. 4,7 nm auf. Die Untersuchungen des Wachstums von V und Mn mittels STM
haben gezeigt, daß die Cluster hoch geordnet mit einem mittleren
Abstand von 2,7 nm aufwachsen. Die Clusterverteilungen weisen eine
ausgeprägte hexagonale Symmetrie auf, die ebenfalls eindeutig mit der
Überstruktur auf den Oxidfilmen korreliert werden kann. Die
Wechselwirkung zwischen Substrat, Oxidfilm und Clustern wird ebenso
diskutiert wie die Ursachen für die bevorzugte Nukleation an diesen
ausgezeichneten Punkten.
A. Rosenhahn, J. Schneider, C. Becker, and K. Wandelt, J. Vac. Sci.
Technol. A 18(4), 1923 (2000).