Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 25: Postersitzung (Grenzfl
äche fest-flüssig, Methodisches, Nanostrukturen, Organische Dünnschichten, Rastersondentechniken, reine Oberfl
ächen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Sonstiges)

O 25.73: Poster

Mittwoch, 28. März 2001, 15:00–18:00, Foyer zu B

Rastertunnelmikroskopie an Halbleiter-Clustern — •Theophilos Maltezopoulos¹, Markus Morgenstern¹, Andrey Rogach², Stephan Haubold², Michael Tews³ und Roland Wiesendanger¹ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg — ²Institut für Physikalische Chemie, Universität Hamburg, Bundesstraße 45, D-20146 Hamburg — ³I. Institut für Theoretische Physik, Universität Hamburg, Jungiusstraße 9, D-20355 Hamburg

Um mittels Tieftemperatur-Rastertunnelspektroskopie die lokale Zustandsdichte von naßchemisch hergestellten ligandstabilisierten Halbleiter-Clustern (Durchmesser=3-7nm) abbilden zu können, müssen diese zunächst auf einer Oberfläche derart fixiert werden, daß die Wechselwirkung der Cluster mit der Tunnelspitze diese nicht verschiebt. Hierzu werden drei Verfahren getestet: 1.) CdTe-Cluster, die bereits Thiole als Ligandenhülle besitzen, werden auf einer reinen Au-Oberfläche deponiert, 2.) Durch Trioctylphosphin-Liganden geschützte InAs-Cluster werden auf einer Au-Oberfläche fixiert, die vorher mit Hexandithiol belegt worden ist und 3.) InAs-Cluster werden in HOPG Nanopits, die durch Ionenbeschuß und Heizen erzeugt worden sind, deponiert. Mit den ersten zwei Methoden wurden erfolgreich Cluster mit Rastertunnelmikroskopie abgebildet. Erste Experimente zur Deposition in 10 Lagen tiefen Nanopits laufen gerade an. Überdies sind Rechnungen zu sphärischen Quantenpunkten durchgeführt worden, die die Wellenfunktionen der Leitungsbandelektronen in den untersten Energieniveaus unter dem Einfluß von elektrischen und magnetischen Feldern zeigen.