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O: Oberflächenphysik

O 25: Postersitzung (Grenzfl
äche fest-flüssig, Methodisches, Nanostrukturen, Organische Dünnschichten, Rastersondentechniken, reine Oberfl
ächen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie, Sonstiges)

O 25.76: Poster

Mittwoch, 28. März 2001, 15:00–18:00, Foyer zu B

Transport- und Relaxationsdynamik heißer Elektronen in Au-GaAs Schottky-Kontakten — •M. Hofmann, M. Merschdorf, W. Pfeiffer und A. Thon — Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg, Germany

Elektronischer Transport und Relaxation an der Halbleiter-Metall -Grenzfläche wird mit zeitaufgelöster 2-Photonen-Photoemissions Spektroskopie untersucht. Ein Anregungspuls im IR (1,6 eV) erzeugt eine angeregte Elektronen- und Lochverteilung im GaAs. Durch die Bandverbiegung an der Metall-Halbleiter Grenzfläche kommt es zum Transport von photoinduzierten Minoritätsladungsträgern aus dem GaAs ins Gold. Ein zweiter zeitverzögerter Abfrage-Puls im UV (4,8 eV) wird vorwiegend nur in der Metallelektrode absorbiert, wodurch die Elektronenverteilung und damit die Temperatur des Elektronen-Gases abgefragt wird. Durch Anlegen einer Spannung am Schottky- Kontakt ist es möglich, das Feld zu verändern, in dem die Minoritätsladungsträger beschleunigt werden. Im Experiment wird der Einfluss der in die Metallelektrode injizierten Minoritätsladungsträger auf die Temperatur des Elektronen-Gases bestimmt.