Hamburg 2001 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

O: Oberflächenphysik

O 29: Rastersondentechniken (II)

O 29.2: Talk

Thursday, March 29, 2001, 10:45–11:00, M

Hochgeschwindigkeits-Rasterkapazitätsspektroskopie an Halbleitermikrostrukturen - Apparativer Aufbau und Messungen — •M. von Sprekelsen, J. Isenbart und R. Wiesendanger — Universität Hamburg, Institut für Angewandte Physik, Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

Als Verfahren zur Analyse zweidimensionaler Dotierungsprofile in Halbleitermikrostrukturen stellt die Hochgeschwindigkeits-Rasterkapazitätsspektroskopie (High-Speed-SCS) einen entscheidenden Fortschritt gegenüber der herkömmlichen Rasterkapazitätsmikroskopie (SCM) dar. Die Aufnahme vollständiger CV-Kurven an jedem Messort anstelle einzelner dC/dV-Werte bei konstanter Biasspannung erfordert jedoch die Erweiterung eines kommerziell erhältlichen SCM-Systems um entsprechende Software und Hardware. Die Wahl geeigneter Messparameter legt zugleich die technischen Anforderungen an das High-Speed-SCS-System fest, deren apparative Umsetzung vorgestellt wird. An ersten Messergebnissen von heterogenen Dotierungsprofilen kann im Vergleich mit Simulationen mit Hilfe eines 3D-Device-Simulators (ISE-TCAD) das experimentelle Potential des Verfahrens abgeschätzt werden. Für die automatisierte Auswertung der anfallenden Datenmengen wird ein Grundkonzept vorgestellt, das zugleich eine Beurteilung der Datenqualität (z.B. Einfluss der Probenpräparation) und eine quantitative Bestimmung des gemessenen Dotierungsprofils ermöglichen soll.