Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 32: Epitaxie und Wachstum (II)
O 32.11: Vortrag
Donnerstag, 29. März 2001, 18:00–18:15, C
Strukturelle Untersuchungen von ultradünnen SiNx/Si(111) mit Synchrotronstrahlungsmethoden — •O. Brunke, Th. Schmidt und J. Falta — Universität Bremen
Si(111)-Oberflächen wurden mittels rf-Plasmaquelle nitridiert, und die so gewachsenen ultradünnen (2-20 Å Dicke) Schichten mit stehend Röntgenwellenfeldern untersucht. Als Sekundärsignal dienten die Photoelektronen-Spektren (XPS) der N- bzw. der chemisch verschobenen Si-1s-Linie. Über die XPS-Spektren konnte die chemische Zusammensetzung der Schicht identifiziert und die Schichtdicken abgeschätzt werden. Röntgenreflektvitätsmessungen liefern zusätzliche Informationen über Dicke und Rauhigkeit der Filme. Die Resultate der XSW-Auswertungen zeigen, daß die bekannten SiNx/Si(111)-Phasen ("8×8" und "Quadruplet") unterschiedliche Grenzflächenstrukturen aufweisen. Die Ergebnisse werden mit Strukturmodellen aus der Literatur auf ihre Konsistenz verglichen und für die Quadruplet-Phase wurde ein erstes Modell der Interface-Struktur entwickelt.