Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 32: Epitaxie und Wachstum (II)

O 32.5: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 16:30–16:45, C

Ge(111) auf Si(111): SPALEED-Untersuchungen des Wachstums der ersten Monolagen bei Surfactant-modifizierter Epitaxie — •Irene Dumkow, A. Janzen und M. Horn-von Hoegen — Institut für Laser- und Plasmaphysik, Universität Essen, 45117 Essen

Die Inselbildung von Ge auf Si(111) kann durch Sb-Surfactant-modifizierte Epitaxie verhindert werden. Während dabei die ersten 3 ML noch glatt aufwachsen, bilden sich danach Nanopyramiden mit [113]-facettierten Seitenflächen und 160 Å Abstand. Ab 8 ML glättet sich die Schicht durch Ausbildung eines Versetzungsnetzwerkes. Mit Hilfe der hochauflösenden Elektronenbeugung (SPA-LEED) wurde der Einfluß der Temperatur auf die Morphologie dieser rauhen Phase untersucht. Bei höheren Temperaturen wurde in den Beugungsbildern neben den eigentlichen Facettenreflexen auch die Bildung der sogenannten Honeycombstruktur beobachtet. Da laut STM-Studien von Voigtländer und Zinner (B.Voigtländer, A. Zinner, Surf. Sci 351, L233 (1996)) die Ordnung der Honeycombstruktur mit steigender Temperatur immer besser wird, wurde deren Eignung als Template überprüft, indem zuerst bei Temperaturen von 640^∘C bis 660^∘C 4-6 ML Ge aufgedampft wurden. Nach Unterbrechung des Germaniumflusses wurde die Probe auf 600^∘C abgekühlt, um dann das Germaniumwachstum fortzuführen. Die dabei gefundenen Ergebnisse wurden mit Filmen verglichen, die ohne diesen zusätzlichen Schritt hergestellt wurden.