Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 32: Epitaxie und Wachstum (II)
O 32.6: Vortrag
Donnerstag, 29. März 2001, 16:45–17:00, C
Periodische Versetzungsnetzerke von Ge-Filmen auf Si(111) — •Th. Schmidt1, T. Clausen1, J. Falta1, M. Kammler2, P. Zahl2, P. Kury3, A. Janzen3 und M. Horn-von Hoegen3 — 1Universität Bremen — 2Universität Hannover — 3Universität Essen
Ge-Filme, die mittels Surfactant-modifizierter Epitaxie (SME) auf Si(111) gewachsen wurden, sind mit Röntgenbeugung unter streifendem Einfall (GIXRD) untersucht worden. Die Ge-Schichten wurden bei einer Temperaturen von ca. 600∘C abgeschieden. Im Gegensatz zur konventionellen Molekularstrahlepitaxie (MBE) wird durch den Einsatz eines Surfactants (hier Sb) die 3D-Inselbildung unterdrückt, was das Wachstum glatter, geschlossener Ge-Filme ermöglicht.
Intensitätsverläufe im reziproken Raum wurden in der Nähe verschiedener Braggreflexe aufgenommen (sowohl in-plane als auch out-of-plane). Hieraus ergeben sich Aussagen über die Ober- und Grenzflächenrauhigkeiten und den Relaxationsgrad der Ge-Schichten. Das Auftreten zusätzlicher Satellitenreflexe belegt die Entstehung eines periodischen Versetzungsnetzwerkes als Mechanismus zur Kompensation der Gitterfehlanpassung. Aus Abstand und Halbwertsbreite der Satelliten sind Aussagen über die Periodizitätslänge und die Ordnung des Netzwerks möglich. Aus den relativen Satellitenintensitäten als Funktion der vertikalen Streuvektorkomponente kann auf die Geometrie der Verzerrungsfelder rückgeschlossen werden.