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Hamburg 2001 – scientific programme

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O: Oberflächenphysik

O 32: Epitaxie und Wachstum (II)

O 32.8: Talk

Thursday, March 29, 2001, 17:15–17:30, C

Analyse der Oberflächenstruktur epitaktischen Eisensilizids auf Si(111) mittels LEED — •S. Walter, R. Bandorf, W. Weiß, U. Starke und K. Heinz — Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg

Für die elektronische Anbindung dünner Metallsilizidfilme an das Siliziumsubstrat spielt ihre atomare Struktur eine wichtige Rolle. Auf Si(111) lassen sich wohlgeordnete geschlossene Eisensilizidfilme durch Kodeposition der beiden Konstituenten erzeugen. Ein solcher Film aus 8 ML Fe und Si wurde mittels Beugung langsamer Elektronen (LEED) quantitativ untersucht. Nach Ausheilen bei 320C zeigt sich ein (1×1)-periodisches LEED-Bild. Wie aus der Strukturanalyse hervorgeht, nimmt der Film — offensichtlich durch die epitaktische Stabilisierung verursacht — die im Volumen nicht stabile CsCl-Struktur an. Darüberhinaus zeigt sich eine starke Relaxation, die terminierende Si-Lage relaxiert — verglichen mit dem aus Rechnungen folgenden Volumenwert — um 8 % auswärts, die darauf folgenden Lagenabstände relaxieren um -16% und +15%. Der Vergleich der Intensitätsspektren als Funktion der Energie, I(E), mit den mittels Tensor-LEED ermittelten theoretischen Vergleichspektren ergibt eine sehr gute Übereinstimmung (Pendry-R-Faktor RP=0.17).
Gefördert durch die DFG im SFB 292.

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