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O: Oberflächenphysik

O 32: Epitaxie und Wachstum (II)

O 32.9: Vortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 17:30–17:45, C

Wachstum dünner Mn-Filme auf Si(111) — •Georgios Ctistis, Uta Deffke, Jens Paggel und Paul Fumagalli — Institut für Experimentalphysik, Freie Universität Berlin, Arnimallee 14, 14195 Berlin

Bis zu 100 Å dicke Mn-Schichten wurden auf die Si(111)-7x7 und Si(111)-(√3 × √3):R30^∘:Bi-Rekonstruktionen im UHV aufgedampft. Die Struktur wurde mit RHEED und LEED charakterisiert, während die chemische Zusammensetzung mit AES untersucht wurde. Mn wächst epitaktisch in der γ-Modifikation auf beiden Substraten auf. Auf der √3-Rekonstruktion erhält man dabei zuerst ein Inselwachstum mit einer größeren Gitterkonstanten als der des Substrates. Nach einer kritischen Dicke von ca. 12 Å relaxiert der Gitterparameter und eine geschlossene Schicht mit Si(111)-Periodizität und Symmetrie wurde beobachtet. Das Augerspektrum zeigt eine auf der Oberfläche befindliche Schicht von 4 Å Si. Die Kristallitgröße konnte aus den Reflexprofilen im LEED bestimmt werden.