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15:30 |
O 32.1 |
Verspannung und Morphologie bei der Homoepitaxie auf Si(111) — •P. Kury, P. Zahl und M. Horn-von Hoegen
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15:45 |
O 32.2 |
Ab-initio Untersuchung des Wachstums kleiner Si Cluster auf As und Sb bedecktem Si(111) — •A. Antons, R. Berger, Wi. Kromen, S. Blügel und K. Schroeder
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16:00 |
O 32.3 |
Der Einfluss von Interfactants auf das Wachstum von Pb auf Si(111) — •Thomas Schmidt, Barbara Ressel, Stefan Heun und Ernst Bauer
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16:15 |
O 32.4 |
Stability and adatom dynamics on surfactant-covered growing Ge(111) films — •K. Schroeder, Y. Cao, A. Antons, R. Berger, Wi. Kromen, and S. Blügel
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16:30 |
O 32.5 |
Ge(111) auf Si(111): SPALEED-Untersuchungen des Wachstums der ersten Monolagen bei Surfactant-modifizierter Epitaxie — •Irene Dumkow, A. Janzen und M. Horn-von Hoegen
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16:45 |
O 32.6 |
Periodische Versetzungsnetzerke von Ge-Filmen auf Si(111) — •Th. Schmidt, T. Clausen, J. Falta, M. Kammler, P. Zahl, P. Kury, A. Janzen und M. Horn-von Hoegen
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17:00 |
O 32.7 |
Temperaturabhängigkeit der Surfactant-modifizierten Epitaxie von Ge auf Si(111) — •A. Janzen, I. Dumkow, M. Kammler, P. Zahl, Th. Schmidt, T. Clausen, J. Falta und M. Horn-von Hoegen
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17:15 |
O 32.8 |
Analyse der Oberflächenstruktur epitaktischen Eisensilizids auf Si(111) mittels LEED — •S. Walter, R. Bandorf, W. Weiß, U. Starke und K. Heinz
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17:30 |
O 32.9 |
Wachstum dünner Mn-Filme auf Si(111) — •Georgios Ctistis, Uta Deffke, Jens Paggel und Paul Fumagalli
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17:45 |
O 32.10 |
Initial Stages of Praseodymium Oxide Deposition on Si(001) — •Hans-Joachim Müssig, Jarek Dabrowski, Konstantin Ignatovich, and Victor Zavodinsky
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18:00 |
O 32.11 |
Strukturelle Untersuchungen von ultradünnen SiNx/Si(111) mit Synchrotronstrahlungsmethoden — •O. Brunke, Th. Schmidt und J. Falta
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18:15 |
O 32.12 |
Spannungen in CaF2/Si(111)-Filmen: Eine SSIOD und SXRD Studie — •A. Klust, M. Bierkandt, C. Deiter, J. Falta, R. Feidenhans’l, M. Horn-von Hoegen, C. Kumpf, T. Schmidt, Yixi Su, J. Wollschläger und P. Zahl
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18:30 |
O 32.13 |
Alloying and adatom diffusivity in the initial stages of InAs/GaAs heteroepitaxy — •Evgeni Penev, Peter Kratzer, and Matthias Scheffler
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18:45 |
O 32.14 |
Eine STM-Studie zum epitaktischen Wachstum des Fe auf GaAs(001) — •Rupert Moosbühler, Frank Bensch und Günther Bayreuther
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