Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 39: Nanostrukturen (II)

O 39.8: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 13:00–13:15, M

Untersuchung des Wachstums von Germanium-Nanokristalliten auf partiell wasserstoffterminierten Siliziumoberflächen mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •Florian Schmitt und Peter Hess — Institut für Physikalische Chemie, Universität Heidelberg, Im Neuenheimer Feld 253, D-69120 Heidelberg

Die chemische Abscheidung von Germaniumkristalliten auf Siliziumoberflächen aus der Gasphase (CVD) wurde in situ und in Echtzeit mittels spektroskopischer Ellipsometrie und ex situ mittels Rasterkraftmikroskopie (RKM) untersucht. Um den Einfluß von Wasserstoff auf den Wachstumsprozeß zu studieren, wurden wasserstoffterminierte Si(111)- und Si(100)-Oberflächen verwendet. Durch Variation der Substrattemperatur und des Digerman-Partialdrucks konnte das Wachstum auf partiell wasserstoffbedeckten Oberflächen untersucht werden. Die ellipsometrischen Daten konnten mit einem Zweilagenmodell, bestehend aus einer reinen Germaniumschicht und einer Lage mit Germaniuminseln simuliert werden. Die topographischen Messungen mit dem RKM stützen die Aussagen des Modells. Die Unterschiede in der Nukleationsgeschwindigkeit und Inselverteilung auf Si(100) und Si(111) lassen sich sich im Rahmen der allgemeinen Nukleationstheorie beschreiben.