Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 4: Elektronische Struktur (I)
O 4.7: Vortrag
Montag, 26. März 2001, 12:45–13:00, C
Oberflächenoptische Effekte an Cu(111) und Cu(110) bei Photoemissionsmessungen mit ℏ ω = 21.2 eV — •A. Gerlach1, F. Pforte1, Th. Michalke1,2, A. Goldmann1 und R. Matzdorf2 — 1Fachbereich Physik, Universität Kassel — 2Physikalisches Institut, Universität Würzburg
Durch die an der Grenzfläche Metall-Vakuum gebrochene Translationssymmetrie können oberflächeninduzierte Felder die Intensitätsverteilung von Photoelektronen stark beeinflussen. Für eine realistische Beschreibung gemessener Intensitäten muß sowohl das volle Matrixelement Mfi=⟨ f | A→ · p→ | i ⟩ + ℏ / 2i ⟨ f | div A→ | i ⟩ berücksichtigt werden als auch eine sinnvolle Annahme über das Vektorpotential A→ (r→) in der oberflächennahen Schicht gemacht werden [1].
Unsere Photoemissionsexperimente mit p-polarisiertem Licht zeigen bei Variation des Lichteinfallswinkels, daß an Kupferkristallen auch bei ℏ ω = 21.2 eV oberflächeninduzierte Felder kohärent zur Anregung von Photoelektronen beitragen können. Wir diskutieren mit Hilfe einfacher Modellannahmen zu A→(r→) den div A→-Beitrag zur Intensität direkter Übergänge.
[1] F. Pforte, Th. Michalke, A. Gerlach, A. Goldmann, R. Matzdorf, Strong contributions from surface electromagnetic fields to angle-resolved photoemission intensities of copper, Phys. Rev. B, in press