Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 40: Oxide und Isolatoren (II)

O 40.5: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 12:15–12:30, K

Wachstum mesoskopischer Oxidstrukturen auf Ru(0001) — •A. Böttcher ¹, U. Starke¹, H. Conrad¹, R. Blume², H. Niehus², L. Gregoriatti³, B. Kaulich³, A. Barinov³ und M. Kiskinova³ — ¹Fritz-Haber-Institut der MPG, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin — ²Institut für Physik der Humboldt-Universität, Invalidenstr. 110, 10115 Berlin — ³Sinchrotrone Trieste, Area Science Park, I-34012 Basovizza, TS-Italien

Es wurde mittels PEEM gezeigt, daß Oxidation einer Ru(0001) Oberfläche unter erhöhtem Sauerstoffdruck zur Musterbildung auf mesoskopischer Skala führt (1). Durch die Scanning-XPS bei der O1s- und Ru3d-Emissionen erhält man Abbildungen der oxidierten Oberflächen, die eine sehr starke Anisotropie der lokalen O- und Ru-Konzentrationen als auch der elektronischen Eigenschaften widerspiegeln. Mit einer Ortsauflösung von ca.100 nm konnten die elektronischen Eigenschaften der beobachteten Strukturen bestimmt werden. Die Strukturbildung hängt stark von den Oxidationsbedingungen ab. Im Bereich niedriger Temperaturen bilden sich kleine Keime aus, die statistisch über weite Oberflächenbereiche verteilt sind. Die Hochtemperatur- Oxidationsphasen zeichnen sich durch große Inseln aus. Im Bereich moderater Temperaturen beobachtet man schmale Streifen, die bevorzugt längs der kristallografischen Richtungen des hexagonalen Oberflächengitters wachsen. Die ortsaufgelösten Spektren der O1s-, Ru3d- erlauben, die prägnanten Strukturen als RuO₂ Phase zu identifizieren. 1. A. Böttcher, B. Krenzer, H. Conrad, H. Niehus, Surf. Sci. Lett. 466(2000)811