Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 9: Organische Dünnschichten und Festkörper

O 9.6: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 17:30–17:45, B

Adsorption und Multilagenwachstum von Thiophen auf kristallinem und amorphem Eis — •Petra Swiderek¹, Helge Haberkern¹ und Sam Haq² — ¹Inst. f. Phys. Chemie, Universität zu Köln, Luxemburger Str. 116, 50939 Köln — ²Surface Science Research Centre, University of Liverpool, UK

Adsorption und Multilagenwachstum von Thiophen auf dünnen Eisfilmen, die auf Pt(111) abgeschieden wurden, wurden mittels Reflexions-Absorptions-IR-Spektroskopie (RAIRS) untersucht. Das Multilagenwachstum von Thiophen auf Pt(111) bei 125 K wurde ebenfalls untersucht und dient als Referenz. Dabei werden beim Aufdampfen nacheinander die komprimierte Monolage, eine ungeordnete Phase und ein kristalliner Film beobachtet. Das Wachstum von Thiophenfilmen auf Eis hängt sowohl von der Struktur des Eises als auch von dessen Temperatur ab. Bei 125 K wird auf amorphem Eis ein spezifischer Adsorptionszustand des Thiophens beobachtet. Dieser Zustand wird auf die große Zahl freier OH-Gruppen an dieser Oberfläche zurückgeführt. Darüber hinaus führt die Adsorption von Thiophen zu Veränderungen innerhalb des Eisfilms, die wiederum von der Temperatur und der ursprünglichen Struktur des Eises abhängen. Die Vorstellung, daß die Adsorption organischer Moleküle auf Eis-Oberflächen als Titration der freien OH-Gruppen aufzufassen ist [1], stellt sich damit als unzureichend heraus. [1] J.T.Roberts, Acc.Chem.Res. 31 (1998) 415.