Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm

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SYLS: Lasergestützte Schichtabscheidung und Oberflächenmodifizierung

SYLS VII: HV VII

SYLS VII.1: Hauptvortrag

Montag, 26. März 2001, 18:00–18:30, S5.1

Laserkristallisation von Silicium auf Glas — •Gudrun Andrä und Fritz Falk — Institut für Physikalische Hochtechnologie, Jena, Bereich Lasertechnik

Sowohl für kristalline Dünnschicht-Solarzellen als auch für Dünnfilmtransistoren zur Ansteuerung von Flachbildschirmen sind kristalline Silicium-Schichten auf Glas von erheblichem Interesse. Durch Laserkristallisation amorpher Ausgangsschichten lassen sich glasverträglich solche Schichten über die Schmelzphase erzeugen. Es können Korngrößen im Bereich von einigen 10 nm bis zu einigen 100 µm nach Wunsch erzeugt werden, indem man über die Wahl der Laser- und der Bestrahlungsparameter räumliche und zeitliche Temperaturprofile herstellt, die zu einer geeigneten Kombination von Keimbildungsrate und Kristallitwachstum führen. Diese Zusammenhänge werden diskutiert und an Beispielen wird die resultierende Kristallitstruktur demonstriert. Die Übertragbarkeit der Ergebnisse auf verwandte Systeme wird angesprochen.