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SYOD: Oxidische Dünnschichten

SYOD 1: Oxidische Dünnschichten

SYOD 1.4: Hauptvortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 16:00–16:30, J

Das CSD-Verfahren - Ein hochflexibler Weg zur Herstellung oxidkeramischer Dünnschichten für die Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik — •Theodor Schneller — Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik II, RWTH Aachen, D-52056 Aachen

Keramische Dünnschichten bieten neben den bekannten Einsatzgebieten in der Mechanik (abriebfeste Oberflächen etc.) und der Optik (Interferenzfilter etc.) ein einzigartiges Potenzial von Anwendungen in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik. So finden beispielsweise dielektrische, ferroelektrische und piezoelektrische perovskitische Dünnschichtkeramiken zunehmendes Interesse aufgrund ihrer möglichen Anwendung in MMICs, FeRAMs und MEMS. Aufgrund relativ geringer Kosten und einer hohen Flexibilität bezüglich der Modifikation der Ausgangskomponenten und der chemischen Zusammensetzung, bietet sich die Chemical Solution Deposition (CSD) Technik zur Herstellung dieser Materialklasse an. Dabei hat die Chemie der Precursor bzw. deren Lösungen einen entscheidenden Einfluss auf die spätere Schichtqualität. Für die reproduzierbare nasschemische Abscheidung maßgeschneiderter elektrokeramischer Dünnschichten ist daher ein grundlegendes Verständnis der Evolution der Schichten während verschiedener Stadien des Prozesses essentiell. Der Vortrag gibt nach einer kurzen allgemeinen Einführung in die CSD - Methode anhand von Beispielen etablierter Routen zur Abscheidung von PZT, BST und LCMO einen Überblick über die unterschiedlichen Facetten dieses Verfahrens und den Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften.