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SYRW: Rekonstruktion und Wachstum von III-V-Halbleiteroberflächen

SYRW I: HV I

SYRW I.1: Hauptvortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 15:30–16:00, B

III-V Halbleitergrenzflächen: Ihre Bedeutung für Technologie und Bauelemente — •Hans Lüth — Institut für Schichten und Grenzflächen (ISG) Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich

Forschung an Halbleiteroberflächen und -grenzflächen war seit Beginn der modernen Halbleiterelektronik immer schon sehr eng mit dem Fortschritt bei der Entwicklung von Bauelementen verknüpft. Einige neuere Beispiele sollen dies für den Bereich der III-V Halbleiterelektronik aufzeigen:

• Oberflächenrekonstruktionen bei der InGaP-Schichtdeposition gestatten die Kontrolle optimaler Epitaxieparameter für die Bauelementherstellung.

• Interface-Morphologie in AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen bestimmt die optimale Funktion von Resonanten Tunnelstrukturen.

• Die energetische Verteilung von Grenzflächenzuständen bestimmt beim Metall-Halbleiterkontakt das Leitfähigkeitsverhalten und somit die Verwendbarkeit solcher Kontakte für spezielle Bauelementanwendungen.

• Oberflächeneffekte beeinflussen das Ladungsträgerconfinement in GaN-basierenden HEMTs. Ihre Kenntnis bzw. entsprechende Passivierungsprozesse sind somit eine Voraussetzung für optimale Bauelementfunktion.