Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
SYRW: Rekonstruktion und Wachstum von III-V-Halbleiteroberflächen
SYRW I: HV I
Donnerstag, 29. März 2001, 15:30–16:00, B
 |
15:30 | SYRW I.1 | Hauptvortrag: III-V Halbleitergrenzflächen: Ihre Bedeutung für Technologie und Bauelemente — •Hans Lüth |