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SYRW: Rekonstruktion und Wachstum von III-V-Halbleiteroberflächen

SYRW II: HV II

SYRW II.1: Hauptvortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 16:00–16:30, B

Stabilität und Rekonstruktionen von III-V(001)-Oberflächen — •W. Gero Schmidt — Friedrich-Schiller-Universität Jena

Die Wachstumsflächen der III-V-Verbindungshalbleiter sind experimentell und theoretisch intensiv untersucht und galten lange als gründlich verstanden. Scheinbar gesicherte Kenntnisse zu GaAs(001)-Dimerrekonstruktionen wurden dabei auf andere III-V(001)-Oberflächen extrapoliert. GaAs-Dimermodelle sind jedoch nicht ausreichend um die Vielfalt von III-V-Oberflächengeometrien zu beschreiben. Auch für GaAs selbst wurde inzwischen die Unzulänglichkeit der bekannten Oberflächenstrukturen demonstriert. Neben „traditionellen“ Konzepten wie Minimierung der Zahl der freien Bindungen und der Madelungenergie der Oberfläche sowie deren elektronischer Autokompensation wurden daher neue Erklärungen – wie die Einführung eines Oberflächenrekonstruktionsparameters – bemüht, um zu einem tieferen Verständnis der zunächst verwirrenden Vielfalt an Strukturen zu gelangen.
Mein Vortrag gibt einen Überblick über den derzeitigen Forschungsstand zur Struktur von III-V(001)-Oberflächen. Dabei werden die theoretischen Aussagen zur Stabilität verschiedener Modelle und deren elektronische und optische Signaturen mit dem Experiment verglichen und die Gültigkeit empirischer Konzepte diskutiert.