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SYRW: Rekonstruktion und Wachstum von III-V-Halbleiteroberflächen

SYRW III: HV III

SYRW III.1: Hauptvortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 16:30–17:00, B

In-situ und Echtzeit Beobachtung des epitaktischen Wachstums — •W. Richter und J.-T. Zettler — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Optische Sonden zur in situ Beobachtung des Wachstums bieten entscheidende Vorteile gegenüber anderen Methoden, wie z.B. Nichtbeeinflussung des Epitaxieprozesses, hohe Geschwindigkeit der Informationsgewinnung sowie das Potenzial der Anwendbarkeit in der UHV- und Gasphasen-Epitaxie. Wir diskutieren zunächst die Analyse der rekonstruierten Oberflächen vor dem Wachstum im stationären Gleichgewicht mit Hilfe der Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS). Vergleichende Messungen in der Molekularstahlepitaxie (MBE) und der Gasphasenpitaxie (MOVPE) erlauben zusammen mit theoretischen Berechnungen optische Spektren mit Rekonstruktionen zu korrelieren. Darauf aufbauend können dann insbesondere für die MOVPE Adsorptions/Desorptionsprozesse und beim stationären Wachstum in Abhängigkeit von Partialdruck und Temperatur verschiedene Wachstumsmoden in einem p-T Phasendiagramm beschrieben werden. Nicht-planare Wachstumsmoden (z.B. Stranski-Krastanow Quantendots) sind mit optischen Sonden naturgemäß schwerer zu beschreiben. Hierzu wird ein in den Reaktor integriertes in-situ Rastersondenmikroskop vorgestellt.