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SYRW: Rekonstruktion und Wachstum von III-V-Halbleiteroberflächen

SYRW IV: HV IV

Donnerstag, 29. März 2001, 17:00–17:30, B

	17:00	SYRW IV.1	Hauptvortrag: Simulation der Wachstumskinetik auf III-V-Halbleiter-Oberflächen — •Peter Kratzer und Matthias Scheffler