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SYRW: Rekonstruktion und Wachstum von III-V-Halbleiteroberflächen

SYRW V: HV V

SYRW V.1: Hauptvortrag

Donnerstag, 29. März 2001, 17:30–18:00, B

Struktur hochindizierter GaAs-Oberflächen — •K. Jacobi — Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft, Faradayweg 4-6, D-14195 Berlin

Bis heute konnte ein großer Teil der Strukturen niederindizierter GaAs-Oberflächen bestimmt werden. Es erhebt sich die Frage, inwieweit die Anzahl gefundener Strukturelemente vollständig ist und ob sich diese auf die hochindizierten Oberflächen übertragen lassen. Außerdem gibt es experimentelle Hinweise darauf, daß hochindizierte Oberflächen beim Stranski-Krastanov-Wachstum von InAs-Quanten-Punkten eine Rolle spielen. Es wird daher über die Struktur hochindizierter GaAs-Oberflächen berichtet. Bisher war nur GaAs(113)A bekannt [1,2]. Basierend auf in-situ STM-Untersuchungen von MBE-präparierten GaAs-Oberflächen konnten wir kürzlich die GaAs(114)a2(2x1)-Struktur bestimmen. In einer intensiven Untersuchung der weiteren Umgebung von (113)A sind wir auf eine sehr stabile Oberfläche gestoßen, die im Innern des stereographischen Dreiecks liegt und die völlig überraschende Orientierung (2 5 11) aufweist. Diese Ergebnisse werden auch unter Verwendung von Gesamtenergierechnungen [3,4] diskutiert. [1] Wassermeier et al. Phys. Rev. B 51, 14721 (1995). [2] Platen et al., J. Appl. Phys. 85, 3597 (1999). [3] J. Márquez, P. Kratzer, L. Geelhaar, K. Jacobi, M. Scheffler, PRL, in press. [4] L. Geelhaar, J. Márquez, P. Kratzer, und K. Jacobi, PRL eingereicht.