Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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SYWS: Simulation von Wachstum und Strukturbildung
SYWS III: HV III
SYWS III.1: Hauptvortrag
Mittwoch, 28. März 2001, 16:15–16:45, S8
Molekulardynamische Simulationen von Materialprozessen fern des thermodynamischen Gleichgewichts — •Karsten Albe1,2, Robert S. Averback2 und Horst Hahn1 — 1Technische Universität Darmstadt, Institut für Materialwissenschaften, Petersenstr. 23, D-64287 Darmstadt — 2University of Illinois, Department of Materials Science, Urbana, IL 61801, USA
Bei der Synthese, Strukturierung und Modifizierung funktioneller Materialien treten Prozesse auf, die fern des thermodynamischen Gleichgewichts ablaufen. In der Regel sind detailierte Kenntnisse über die atomaren Mechanismen eine wichtige Voraussetzung für das Verständnis und die Optimierung der korrespondierenden Experimente. Moderne Parallelcomputer erlauben molekulardynamische Simulationen einiger Millionen realistisch wechselwirkender Atome, die es möglich machen, komplexe Materialprozesse zu untersuchen. Allerdings sind geeignete interatomare Potentiale nur für einige Elemente und wenige Verbindungen verfügbar. In diesem Beitrag werden zunächst neue Ansätze diskutiert, die es auf Grundlage des Konzepts der chemischen Bindungsordnung erlauben, systematisch reaktive Potentiale für technologisch relevante Verbindungen zu entwickeln. Neuere Ergebnisse für Verbindungshalbleitern und metallisch-kovalent gebundene Systeme werden gezeigt. Schließlich werden anhand verschiedener Beispiele, wie z.B. der Simulation des Wachstums dünner Schichten, Möglichkeiten, Grenzen und zukünftige Richtungen der MD-Simulation von Materialprozessen diskutiert.