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TT: Tiefe Temperaturen

TT 16: Postersitzung II: Amorphe und Tunnelsysteme, Mesoskopische Systeme, Schwere Fermionen, Kernmagnetismus

TT 16.17: Poster

Dienstag, 27. März 2001, 14:30–17:00, Rang S\ 3

Herstellung kleinflächiger metallischer Tunnelkontakte mittels Schichtabscheidung durch Sputtern — •Detlef Born¹, Tomas Wagner², Wolfram Krech¹, Uwe Hübner² und Ludwig Fritzsch² — ¹FSU, Institut für Festkörperphysik, 07743 Jena — ²IPHT e.V., 07745 Jena

Als Möglichkeit zur Herstellung miniaturisierter Tunnelkontakte aus hochschmelzenden Metallen haben wir eine Präparationstechnik entwickelt, welche das sog. Elektronenstrahl-Direktschreiben in Verbindung mit der Materialabscheidung durch Sputtern ausnutzt. Als Test haben wir Einzelelektronen-Transistoren mit den Metallen Al und Nb (inkl. gemischter Proben) hergestellt. Für komplette Nb Transistoren wurde AlO_x zur Barrierenerzeugung eingesetzt. Die Ausbeute an funktionierenden Proben betrug etwa 80%. Die Tunnelkapazitäten wurden zu wenigen 10⁻¹⁶F geschätzt; die Streuung der Tunnelwiderstände lag unter einer Größenordnung.