Hamburg 2001 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 16: Postersitzung II: Amorphe und Tunnelsysteme, Mesoskopische Systeme, Schwere Fermionen, Kernmagnetismus
TT 16.19: Poster
Dienstag, 27. März 2001, 14:30–17:00, Rang S\ 3
Einzelelektronentransistoren im Regime kleiner Widerstände — •Christoph Wallisser1,2, Bernhard Limbach1,2, Roland Schäfer1 und Peter vom Stein1,2 — 1Forschungszentrum Karlsruhe, Institut für Festkörperphysik, Postfach 3640, 76021 Karlsruhe — 2Fakultät für Physik, Universität Karlsruhe
Wir berichten über Messungen an Al/Al2O3/Al-Einzelelektronentransistoren mit Leitwerten der Tunnelkontakte in der Größenordnung des Quantenleitwertes GK=e2/h. In diesem Regime werden über die orthodoxe Theorie hinaus deutliche Beiträge zum Transport durch Prozesse höherer Ordnungen erwartet. Sichtbar wird dies z. B. in einer Reduktion der Amplitude der Coulomboszillationen im linearen Response gegenüber dem aus der orthodoxen Theorie vorhergesagten Wert.
Ein wichtiger Parameter der theoretischen Beschreibung [1,2] ist der Quotient α=G∥/GK, wobei G∥ der Parallelleitwert der Tunnelkontakte des Transistors ist. Dieser ist bei den üblichen Transistoren nicht direkt zugänglich. Deshalb wurde ein spezielles Transistordesign entwickelt, das es erlaubt, die Leitwerte der Tunnelkontakte einzeln zu bestimmen.
An solchen Transistoren wurden Coulomboszillationsmessungen bei verschwindender Transportspannung in Abhängigkeit von der Temperatur durchgeführt. Die Ergebnisse werden mit den theoretischen Voraussagen verglichen.
[1] J. König et al., Phys. Rev. Lett. 78 (1997) 4482
[2] G. Göppert et al., Physica B 284-288 (2000) 1792-1793