Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
TT: Tiefe Temperaturen
TT 16: Postersitzung II: Amorphe und Tunnelsysteme, Mesoskopische Systeme, Schwere Fermionen, Kernmagnetismus
TT 16.40: Poster
Dienstag, 27. März 2001, 14:30–17:00, Rang S\ 3
Skalenverhalten in der Nähe des quantenkritischen Punktes von YbRh2Si2 — •J. Custers, P. Hinze, C. Langhammer, P. Gegenwart, O. Trovarelli, C. Geibel und F. Steglich — Max-Planck-Institut für Chemische Physik fester Stoffe, Dresden
YbRh2Si2 zeigt oberhalb eines
tiefliegenden magnetischen Phasenübergangs bei TN= 65
mK [1] ausgeprägte nicht-Fermi-Flüssigkeits (NFL) Effekte in
der Temperaturabhängigkeit des Koeffizienten γ (T) =
Δ C(T) /T der spezifischen Wärme und des elektrischen
Widerstands ρ (T). Dotierung von iso-elektronischen Ge-Atomen
am Si-Platz in YbRh2(Si1−xGex)2
vergrößert die Gitterparameter und führt für x=0.05 zu
einer Unterdrückung der magnetischen Ordnung zu TN < 10
mK. Wir beobachten eine lineare Temperaturabhängigkeit des
elektrischen Widerstands über drei Dekaden zwischen 10 mK und 10
K. Die magnetische AC-Suszeptibilität variiert gemäß
χAC−1=χ0−1+cTη mit η < 1. Das
Skalenverhalten im Magnetfeld von ρ (T,B) und
χAC(T,B) wird diskutiert und mit Untersuchungen an
Einkristallen mit x=0 und x=0.1 verglichen.
[1] O. Trovarelli et al., Phys. Rev. Lett. 85,
626 (2000).