Hamburg 2001 – scientific programme

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 25: Postersitzung III: Pinning und Vortexdynamik, Massive HTSL, Bandleiter, Transporteigenschaften in HTSL, SL dünner Filme, Elektronen und Phononen in HTSL, Tunneln, Borkarbide, Quantenphasen und Metall-Isolator-Überg
änge, Anwendungen, Sonstiges

TT 25.20: Poster

Thursday, March 29, 2001, 14:30–17:00, Rang S\ 3

Elektronischer Raman–Response in anisotropen Normalmetallen — •Dietrich Einzel¹ und Dirk Manske² — ¹Walther–Meißner–Institut, D–85748 Garching — ²Freie Universität Berlin, Arminalle 14, D–14195 Berlin

Dieser Beitrag ist der Behandlung des elektronischen Raman– Response anisotroper Normalmetalle mit zwei Stromrelaxationsmechanismen (Störstellen, inelastische Elektron–Elektron– Streuung) gewidmet. Die Theorie benutzt die Landau–Boltzmann–Gleichung für anisotrope Metalle bei endliche Wellenzahlen (|q|≪ k_F). Sie berücksichtigt die Coulomb–Abstoßung der Elektronen im Rahmen der RPA und behandelt den Stoßoperator, in dem elastische und inelastische Stoßprozesse additiv auftreten, in einer (Ladungs–) erhaltenden Relaxationszeitnäherung. Die Streurate der inelastischen Elektron–Elektron–Streuung wird einer elektronischen Theorie (FLEX–Approximation) entnommen, welche gleichzeitig auch die Bildung von Cooper–Paaren beschreiben kann. Numerische Resultate für verschiedene Relaxationsraten werden präsentiert.