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TT: Tiefe Temperaturen

TT 28: HF Anwendungen

TT 28.1: Vortrag

Freitag, 30. März 2001, 10:15–10:30, J

Bestimmung der Londonschen Eindringtiefe in doppelseitigen YBaCuO-Schichten auf Saphir — •Alexander Zaitsev, R. Schneider, G. Linker, M. Adam, F. Ratzel, R. Smithey und J. Geerk — Forschungszentrum Karlsruhe, Institut für Festkörperphysik, Postfach 3640, D-76021 Karlsruhe

Der absolute Wert der Londonschen Eindringtiefe λ wurde in doppelseitigen YBaCuO-Schichten auf Saphirsubstraten mit Hilfe von Kreisscheibenresonatoren gemessen. Die Methode beruht darauf, daß der Gütefaktor Q des Resonators durch eine Goldschicht auf den YBaCuO-Elektroden verringert wird. Die gemessene Q-Verringerung liefert den Wert von λ mit einer Genauigkeit, die im Wesentlichen durch die Unsicherheit in der YBaCuO-Schichtdicke gegeben ist. Der Temperaturverlauf von λ stimmte mit der Verschiebung der Resonanzfrequenz gut überein. λ wurde nach der neuen Methode an mehreren YBaCuO-Schichten zwischen 4,2 K und 80 K gemessen. Die Schichten wurden auf beiden Seiten von 3 Zoll Saphir-Wafern mit dem ASIDOD-Sputterverfahren simultan deponiert und zeigten bei einer hohen Homogenität sehr gute Mikrowellen-Eigenschaften bis zu hohen HF-Leistungen. Die gemessenen λ-Werte waren im Vergleich zu Literaturdaten für YBaCuO Einkristalle etwas höher. Bei 4,2 K betrug λ beispielsweise 195 nm. Die Ergebnisse für Schichten verschiedener Dicken ließen sich durch ein Zwei-Band-Modell für YBaCuO quantitativ beschreiben.