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TT: Tiefe Temperaturen

TT 4: Josephson Kontakte

TT 4.3: Vortrag

Montag, 26. März 2001, 15:15–15:30, J

Eigenschaften von sub-µ m intrinsischen Josephson-Kontakten — •A. Franz¹, Y. Koval¹, P. Müller¹ und H. Schneidewind² — ¹Physikalisches Institut III, Universität Erlangen-Nürnberg, D-91058 Erlangen — ²Institut für Physikalische Hochtechnologie, D-07702 Jena

Wir untersuchen die Eigenschaften von kleinen intrinsischen Josephson-Kontakten, die auf Tl₂Ba₂CaCu₂O₈-Dünnfilmen hergestellt wurden. Es konnten Abmessungen von 0.7 µ m × 0.7 µ m bis zu 0.2 µ m × 0.2 µ m realisiert werden. Bei Kontakten mit 0.7 µ m × 0.7 µ m und hohen kritischen Stromdichten (bis zu 30 kA/cm² bei 4.2 K) sind auf den Kennlinien Sub-Gap-Strukturen zu beobachten, die durch die Kopplung der Josephson-Wechselströme mit optischen Phononen verursacht werden. Das Verhalten der Temperaturabhänigkeit des kritischen Stroms I_c(T) wird als Funktion der kritischen Stromdichte bei 4.2K untersucht. I_c(T) folgt nicht der Ambegaokar-Baratoff-Theorie für konventionelle Josephson-Kontakte. Für Temperaturen, bei denen die thermische Energie der Josephson Kopplungsenergie entspricht, finden wir eine starke Unterdrückung des kritischen Stroms. Bei höheren Temperaturen verbleibt der kritische Strom auf niedrigem Niveau bis hin zur kritischen Temperatur T_c des Basiskristalls.