Bochum 2002 – wissenschaftliches Programm
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P: Plasmaphysik
P 23: Poster: Plasmatechnologie, Plasma-Wand-Wechselwirkung, Staubige Plasmen, Plasmadiagnostik
P 23.24: Poster
Mittwoch, 20. März 2002, 17:40–18:40, HZO Foyer
Untersuchung der Schichtbildung in gepulsten HMDSO-haltigen Plasmen — •Konstantin Li, Onno Gabriel und Jürgen Meichsner — Institut für Physik, Universität Greifswald, Domstraße 10A, D-17487 Greifswald
Unter Verwendung einer asymmetrischen, kapazitiv gekoppelten HF-Niederdruckentladung bei 13.56 MHz wurde die Schichtbildungskinetik in HMDSO-haltigen Plasmen mittels Ellipsometrie untersucht und die molekulare Struktur der Schichten bei gepulster Leistungszufuhr und unterschiedlichen Ionenbeschuß studiert.
FTIR-spektroskopische Untersuchungen der abgeschiedenen Schichten zeigen im Zusammenhang mit der massenspektrometrischen Analyse der plasmachemischen Umwandlung des HMDSO in der Gasphase unterschiedliche molekulare Schichtstrukturen. So ist der Anteil von CxHy und SiOx abhängig von dem durch die Plasmapulslänge (1–10 sec) bedingten Fragmentierungsgrad des HMDSO. Desweiteren hat die Zumischung von Sauerstoff einen gravierenden Einfluß auf Stoffumwandlung und Schichbildung insbesondere der SiOx-Gruppen im Bereich 1200–1000 cm−1 und resultiert bei längeren Plasmapulsdauern in einer geringeren Beschichtungsrate auf Grund von Ätzprozessen.
Die Veränderung des Ionenbeschusses durch den Übergang von Substraten auf der HF-Elektrode zu Substraten auf Floatingpotenzial im Plasma führt zu einer Abnahme der Beschichtungsrate um eine Größenordnung und ebenfalls zu einer Veränderung der molekularen Struktur.