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PV: Plenarvorträge
PV V
PV V: Plenary Talk
Tuesday, March 19, 2002, 14:30–15:15, HZO 30
Modellierung und Simulation technischer Plasmen — •Ralf Peter Brinkmann — Lehrstuhl für Theoretische Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum
Die in verschiedenen Bereichen der Technik eingesetzten Plasmen umfassen einen Druckbereich von 10−2 bis 107 Pa und Elektronendichten von 108 bis 1015 cm−3. Auch andere charakteristische Parameter variieren in ähnlichem Umfang. Vor jeder Plasmasimulation stellt sich daher die Aufgabe der Modellierung; also der Identifikation des für die jeweilige Fragestellung adäquaten mathematischen Modells. Mit diesen Entscheidungen (kinetisch oder fluiddynamisch, transient oder stationär, räumlich aufgelöst oder nicht) ist auch immer eine Kosten-Nutzen-Abwägung verbunden.
Die Präsentation wird einige Ansätze zur Simulation plasmagestützter Fertigungsverfahren der Mikroelektronik vorstellen. Neben der Simulation von Gesamtreaktoren auf der makroskopischen Skala (∼m) steht die Analyse der Plasmarandschicht (∼mm) und die Simulation der Strukturevolution auf der mikroskopischen Skala (∼0.1 nm) Blick. Ferner wird diskutiert, wie mit Hilfe einer modellbasierten Plasmadiagnostik die in-situ Überwachung und Regelung von Plasmaprozessen in technischen Produktionsanlagen realisiert werden kann.