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DD: Didaktik der Physik

DD 26: Postersitzung

DD 26.12: Poster

Dienstag, 19. März 2002, 13:30–15:30, Galerie 1

Sperrschichtkapazitäten in Halbleiterdioden — •Wolfgang Schenk — Universität Leipzig

Die Sperrschichtkapazität von Halbleiterdioden lässt sich in charakteristischer Weise durch die angelegten Sperrspannung steuern. Dabei hängt die quantitative Beschreibung des Zusammenhangs zwischen der Sperrschichtkapazität der Halbleiterdiode und der Sperrspannung entscheidend von der Geometrie der Raumladungszone (Dotierungsprofil) ab.

Im Rahmen eines Praktikumsversuches wird unter der Voraussetzung eines einfachen abrupten Dotierungsprofils und bei Berücksichtigung geeigneter Ersatzschaltungen die quantitative Analyse von Messdaten, die mit einem Resonanzverfahren (Serienresonanzkreis) ermittelt wurden, durchgeführt. An zwei einfachen Beispielen werden die Einsatzmöglichkeiten von spannungsgesteuerten Sperrschichtkapazitäten demonstriert.