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T: Teilchenphysik

T 102: Halbleiterdetektoren I

T 102.3: Vortrag

Montag, 18. März 2002, 14:40–14:55, HS 22

Strahlenschädigung von Standard- und Sauerstoff dotierten Siliziumdetektoren durch Co-60 Gamma-Bestrahlung — •Jörg Stahl¹, Eckhart Fretwurst¹, Gunnar Lindström¹ und Ioana Pintilie² — ¹Inst. f. Exp. Physik, Universität Hamburg — ²NIMP, Bucharest-Magurele

Um die grundlegende Ursache der verbesserten Strahlenhärte durch Sauerstoffdotierung näher zu untersuchen, wurden Bestrahlungsexperimente an der Co-60 Quelle des BNL durchgeführt. Die Schädigung durch MeV-Gammastrahlung hat gegenüber derjenigen durch Hadronen den Vorteil, dass nur Punktdefekte und keine Cluster erzeugt werden. An Detektoren mit unterschiedlicher Sauerstoffkonzentration wurde die strahlungsinduzierte Änderung der effektiven Dotierung und des Sperrstroms untersucht, sowie DLTS-Messungen vorgenommen. Es zeigt sich, dass die mit Sauerstoff dotierten Detektoren wesentlich strahlenhärter als die undotierten sind. Diese Unterschiede lassen sich auf den V2O- Defekt zurückführen, der in Material ohne Sauerstoffzusatz wesentlich stärker erzeugt wird, als in Material mit Sauerstoffanreicherung.