Leipzig 2002 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 402: Halbleiterdetektoren IV

T 402.5: Vortrag

Donnerstag, 21. März 2002, 15:00–15:15, HS 22

Der DEPFET-Sensor als Vertexdetektor bei TESLA — •Marcel Trimpl¹, Peter Fischer¹, Johannes Ulrici¹, Norbert Wermes¹, Laci Andricek², Gerhard Lutz² und Rainer H. Richter² — ¹a: Silab, Physikalisches Institut, Nussallee 12, 53115 Bonn — ²b: MPI Halbleiterlabor, Otto Hahn-Ring 6, 81739 München

Der geplante e+e- Linearbeschleuniger TESLA stellt aussergewöhnliche Anforderungen an die einzelnen Detektorkomponenten. Als zentraler Bestandteil des Tracking-Systems soll ein pixelbasierter Vertexdetektor verwendet werden. Eine Option für diesen Vertexdetektor ist der DEPFET-Sensor. Bei einem DEPFET-Sensor handelt es sich um einen Halbleiterdetektor, bei dem die erste Signalverstärkerstufe in Form eines Feldeffekttransistors in dem Sensor integriert wird. Dadurch wird ein hervorragendes Rauschverhalten erreich (ENC=4,9e bei Raumtemperatur). Zudem ist mit dem DEPFET Pixelkonzept ein Betriebsmodus möglich, der den Leistungsverbrauch des Sensors minimiert. Auch in den Bereichen der Ortsauflösung, der Auslesegeschwindigkeit sowie der geforderten Strahlungslänge kann der DEPFET den Anforderungen bei TESLA gerecht werden. Es wird ein Konzept für den Einsatz des DEPFET-Sensors als Vertexdetektor vorgestellt. Dabei wird insbesonders auf das vorgeschlagene Auslesekonzept und die vorgeschlagene Realisierung der integrierten Ausleseelektronik eingegangen.