Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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DF: Dielektrische Festkörper
DF 3: Gl
äser I (gemeinsam FV DF/DY)
DF 3.2: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 10:10–10:25, 23
Molekulardynamik Computersimulation einer amorph/kristallinen SiO2 Grenzfläche — •Torsten Stühn1, Walter Kob2, Kurt Binder1 und Jürgen Horbach1 — 1Institut für Physik, Johannes Gutenberg-Universität, 55099 Mainz — 2Laboratoire des Verres, Université Montpellier II, 34095 Montpellier, France
Eines der fundamentalen Probleme beim Herstellungsprozess von Glas-Keramiken, ist das Verständnis der Kristallisations- und Schmelzprozesse der kristallinen Mikrostrukturen in der amorphen Glasphase.
Als einen ersten Schritt hierzu untersuchen wir eine amorph/kristalline Grenzfläche von SiO2 mit klassischen Molekulardynamik Computersimulationen.
Zur Charakterisierung des Schmelzprozesses, untersuchen wir statische und dynamische Grössen während des Schmelzens der kristallinen Phase und präsentieren zeitabhängige lokale Dichteprofile und den statischen Strukturfaktor in der Umgebung der Grenzschicht. Ausserdem diskutieren wir den Einfluss der kristallinen Phase auf die Zustandsdichte des gemischten Systems.