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DF: Dielektrische Festkörper
DF 8: Phasenüberg
änge und Spektroskopie
DF 8.5: Talk
Thursday, March 14, 2002, 16:30–16:50, 11
Bestimmung der Energieniveaus von Eigendefekten in Zinkgermaniumdiphosphid (ZnGeP2)* — •W. Gehlhoff, D. Azamat, R.N. Pereira und A. Hoffmann — Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin
ZnGeP2 ist aufgrund seiner Eigenschaften ein vielversprechendes Material
für Anwendungen in der nicht-linearen Optik, wie z.B. für die
Herstellung von abstimmbaren optischen parametrischen Oszillatoren (OPO)
für Lasersysteme im mittleren Infrarot. Die Leistungsfähigkeit
derartiger OPO’s wird jedoch bisher durch breite Absorptionsbanden im
Bereich von 625 nm bis 2500 nm beeinflusst, die durch die bei der
Züchtung in hoher Konzentration erzeugten Eigendefekte verursacht werden
[1]. Für die drei mittels EPR nachgewiesenen Eigendefekte VZn
(Zinkleerstelle),VP (Phosphorleerstelle), GeZn (Einbau von Ge auf
Zn Platz) wurden durch Photo-EPR an Proben mit unterschiedlicher Lage des
Fermi-Niveaus die Umladungsniveaus im ZnGeP2 Bandgap (2,1 eV) bestimmt.
Der Akzeptorzustand VZn–/− befindet sich bei ECB-1,02 eV und
der Donatorzustand GeZn+/++ liegt bei EVB+1,70 eV.
Zusätzlich beobachtete photo-induzierte Prozesse mit einer
Schwellenenergie von 0,64 eV sind wahrscheinlich mit der Umladung von
schwach assoziierten Zink-Phosphor-Leerstellenpaaren verknüpft. Ferner
wurde das Donatorniveau der Ge-Leerstelle bestimmt, deren Existenz nach
Bestrahlung mit energiereichen Elektronen durch EPR-Messungen nachgewiesen
werden konnte.
*Gefördert durch BMBF (05KK 1KTA/4).
[1] W. Gehlhoff et al., ICDS-21, Physica B (2001), in press