Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 14: organische Schichten

DS 14.3: Vortrag

Mittwoch, 13. März 2002, 14:30–14:45, HS 32

Untersuchung der Struktur und Passivierungseigenschaften biokompatibler Polymerschichten auf GaAs — •U. Klemradt¹, K.E. Crompton^1,2, M. Aspelmeyer¹, C. Kirchner¹, M. Seitz¹ und T.R. Finlayson² — ¹Sektion Physik und Center for NanoScience, LMU München, 80539 München — ²School of Physics and Materials Engineering, Monash University, Clayton, Victoria 3800, Australien

Aufgrund der Reaktivität freier GaAs-Oberflächen bilden sich unter atmosphärischen Bedingungen spontan dünne, defektreiche Oxidschichten, die i.d.R. zu unerwünschten elektrischen Eigenschaften führen, so daß für Sensoranwendungen generell eine Passivierung der Oberfläche durch eine Schutzschicht erforderlich ist. Falls Bauelemente auf GaAs-Basis im Bereich biologischer Proben eingesetzt werden sollen, z.B. zur Potentialmessung von Zellen, muss darüber hinaus diese Schicht auch die Proben vor toxischen As-Verbindungen schützen [1].

Dünne Schichten aus (3-MercaptoPropyl)Trimethoxysilan (MPT) sind hierzu geeignet, wobei der Einfluß der Präparation auf die Passivierungseigenschaften bislang weitgehend unbekannt war. Mittels Röntgenreflektivität und AFM wurde die Realstruktur von MPT-GaAs-Schichtsystemen unter verschiedenen Präparationsbedingungen bestimmt. Es wird über die strukturellen Eigenschaften der dünnen (ca. 20 nm) MPT-Filme berichtet sowie über deren Einfluß auf das Wachstum einer vergrabenen Oxidschicht zwischen Substrat und Film in wäßriger Umgebung.

[1] S. Böhm et al., Sensors and Actuators B 68, 266 (2000).