Regensburg 2002 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 16: Ionenimplantation: Defect Engineering in Si / SiGe

DS 16.2: Talk

Wednesday, March 13, 2002, 16:45–17:00, HS 32

Helium Implantation von SiGe/Si: Ein Weg zu versetzungsfreien, relaxierten SiGe Schichten — •M. Luysberg¹, D. Kirch¹, B. Holländer², St. Lenk², S. Mantl², Th. Hackbart³, H.-J. Herzog³ und P.F.P. Fichtner⁴ — ¹Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, 52428 Jülich — ²Institut für Schichten und Grenzflächen, Forschungszentrum Jülich, 52428 Jülich — ³DaimlerChrysler AG, Research and Technology, 89081 Ulm — ⁴Univ. Fed. Do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, Brazil

Versetzungsfreie, relaxierte SiGe Schichten auf Si (100) Substraten zur Herstellung von virtuellen SiGe Substraten sind von entscheidender technologischer Bedeutung z. B. für die Realisierung von Hetero-Feldeffekttransistoren mit ihrem enormen Bauelemente-Potenzial. Durch He Implantation und anschließende Temperung von pseudomorph gewachsenen SiGe Schichten auf Si Substraten können He Ausscheidungen im Si Substrat erzeugt werden, die als effektive Versetzungsquellen wirken und einen hohen Relaxationsgrad von 70% bei einer Fadenversetzungsdichte kleiner als 10⁷ cm⁻² ermöglichen. In unserem Beitrag diskutieren wir die Mechanismen der Versetzungsbildung in He implantierten SiGe/Si Heterostrukturen. Neue Ansätze zur Erzeugung versetzungsarmer, relaxierter SiGe Schichten mit hohem Ge Gehalt (>30%) werden vorgestellt.