DS 16: Ionenimplantation: Defect Engineering in Si / SiGe
Mittwoch, 13. März 2002, 16:30–17:15, HS 32
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16:30 |
DS 16.1 |
Bildung interner Punktdefektquellen in Silizium durch Kohlenstoffimplantation — •Maik Häberlen, Jörg K.N. Lindner und Bernd Stritzker
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16:45 |
DS 16.2 |
Helium Implantation von SiGe/Si: Ein Weg zu versetzungsfreien, relaxierten SiGe Schichten — •M. Luysberg, D. Kirch, B. Holländer, St. Lenk, S. Mantl, Th. Hackbart, H.-J. Herzog und P.F.P. Fichtner
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17:00 |
DS 16.3 |
Quantitative TEM-Analyse zur Bestimmung des Überdrucks von Helium-ausscheidungen in implantiertem Silizium — •Norbert Hüging, K. Tillmann, K. Urban, H. Trinkaus, B. Holländer, S. Mantl, P.F.P. Fichtner und M. Luysberg
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