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DS: Dünne Schichten
DS 18: Schichtherstellung II
DS 18.1: Talk
Thursday, March 14, 2002, 10:15–10:30, HS 31
Schichteigenschaften von dünnen DC-Magnetron gesputterten Phasenwechselmedien in Abhängigkeit der Herstellungsparameter — •Henning Dieker1, Walter Njoroge2, Hansjörg Weis1 und Matthias Wuttig1 — 1I. Physikalisches Institut der RWTH Aachen, 52056 Aachen, Germany — 2Department of Physics, Kenyatta University, P.O. Box 43844 Nairobi, Kenya
Die wachsenden Anforderungen an Schnelligkeit und Speicherdichte von optischen Datenspeichern zwingen zum genaueren Verständnis des Einflusses der Herstellungsparameter auf die Eigenschaften gesputterter Phasenwechselschichten. Aus diesem Grund wurden dünne Ge2Sb2Te5 Filme unter Variation der Sputterleistung und des Argondrucks auf Si abgeschieden und mittels Röntgenreflektometrie, Röntgenbeugung und Ellipsometrie untersucht. Das Ziel der Untersuchungen ist es, den Einfluss dieser Prozessparameter auf Dichte, Rauigkeit, Wachstumsrate und optische Eigenschaften der präparierten Ge2Sb2Te5 Schichten zu analysieren. Bei den so hergestellten amorphen Schichten waren in Abhängigkeit der Prozessparamter Unterschiede in der Dichte, Rauigkeit und Wachstumsrate sowie bei den optischen Eigenschaften zu beobachten. Anschließend wurden die Proben unter Ar-Atmosphäre kristallisiert und die Struktur mittels Röntgenbeugung ermittelt. Röntgenreflektometrie und Ellipsometrie zeigten anschließend keine signifikanten Unterschiede der Schichten mehr. Die Unterschiede in den amorphen Schichten werden auf die veränderten Prozessparameter zurückgeführt und atomistische Erklärungsansätze vorgestellt.