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Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 2: Elektrische und optische Eigenschaften II

DS 2.5: Vortrag

Montag, 11. März 2002, 12:00–12:15, HS 31

Defektespektren in CuInSe2 und CuGaSe2 — •Niklas Rega, Inge Beckers, Jörg Beckmann, Jürgen Albert und Susanne Siebentritt — HMI Berlin Glienickerstr. 100 14109 Berlin

Die Chalkopyrite CuInSe2 und CuGaSe2 sind für die Photovoltaik vielversprechende Verbindungshalbleiter. Die notwendige Dotierung, die die Ladungsträgerkonzentration und den Leitungstyp des Halbleiters bestimmt, erfolgt bei diesen Halbleitern durch Eigendefekte, wie Leerstellen oder Fehlbesetzungen. Über die Komposition kann die Art und Stärke der Dotierung beeinflusst werden.

CuGaSe2 kann bislang nur p-leitend gewachsen werden. Unsere Photolumineszenz (PL) und Hall-Effekt (Hall) Messungen zeigen, dass die Tieftemperatur-PL-Spektren meist von zwei Akzeptoren (A) (60meV und 100meV) und einem Donator (D) (12 meV) dominiert werden, die zwei verschiedene DA-Übergänge ermöglichen (bei 1.62eV und 1.66eV für EG=1.73eV).

CuInSe2 kann sowohl p-leitend als auch n-leitend hergestellt werden. Bei p-leitendem CuInSe2 wird das PL-Spektrum von einem DA-Übergang dominiert, der je nach Komposition bei 0.92-0.95eV (Cu/In<1) bzw. 0.97-0.98eV (Cu/In>1) liegt. Die PL und Hall Messungen von epitaktischen CuGaSe2 und CuInSe2 Dünnschichten, die mittels MOCVD auf GaAs (100) gewachsenen wurden, werden vorgestellt und die Unterschiede in den Defektspektren der beiden Materialien diskutiert.

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