Regensburg 2002 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 20: Laserverfahren zur Schichtherstellung und Oberfl
ächenmodifizierung II

DS 20.3: Talk

Thursday, March 14, 2002, 12:15–12:30, HS 31

Phasenwechselkinetik von dünnen AgInSbTe Schichten für die optische Datenspeicherung — •Oliver Heinen, Stefan Ziegler und Matthias Wuttig — 1. Physikalisches Institut, RWTH Aachen

Im Zuge immer größer werdender Speicherdichten und Datentransferraten besteht großes Interesse an neuen, schnellen Materialien mit hoher Langzeitstabilität. AgInSbTe Legierungen sind ein Kandidat für diese Aufgabe in zukünftigen Datenträgern. Unter Verwendung eines statischen Testers sowie eines AFM lässt sich die Kinetik beim Phasenübergang, speziell bei der Kristallisation näher untersuchen und wachstums- und nukleationskontrollierte Rekristallisationsmechanismen voneinander trennen. Bedingt durch den Dichteunterschied von etwa 6 Prozent zwischen der amorphen und der kristallinen Phase, kann man die Topologieänderung bei der Kristallisation mit dem AFM abbilden. Unsere Untersuchungen zeigen, dass die Rekristallisation am kristallinen Rand startet, d.h. dass die Rekristallisation wachstumskontrolliert abläuft. Dies ist vorteilhaft, wenn in Zukunft mit kleinerer Laserwellenlänge Bits schneller geschrieben und gelöscht werden sollen.