Regensburg 2002 – scientific programme
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DS: Dünne Schichten
DS 23: Ionenimplantation: Ionenstrahlmischen
DS 23.1: Talk
Thursday, March 14, 2002, 09:30–09:45, HS 32
Einfluss des Bestrahlungswinkels auf das Hochenergie-Ionenmischen keramischen Dünnschicht-Systemen — •Wolfgang Bolse1, Ando Feyh1, Tilman Renz1, Beate Schattat 1, Jens Wiesner1, Siegfried Klaumünzer2 und Frank Schrempel3 — 1Institut für Strahlenphysik, Universität Stuttgart — 2Hahn-Meitner-Institut, Berlin — 3Institut für Festkörperphysik, Universität Jena
Im Rahmen unserer Untersuchung der
Transportmechanismen beim Ionenmischen
keramischer Schichtpakete mit hochenergetischen Ionen wurden
NiO/SiO2/Si-Schichtpakete unter
Verkippungswinkeln von
θ=0∘−85∘ mit Ar-,
Kr- und Xe-Ionen
bestrahlt. Die Ionenenergien bewegten sich zwischen 90 und 260MeV, die
Bestrahlungsfluenzen
zwischen 1014 und 1015/cm2. Während der Bestrahlung
wurden die Proben auf T=77K
gehalten. Oberhalb θ≈60∘ kam es zur Bildung von Riss-
und Lamellenstrukturen
auf der Oberfläche, so dass für diesen Winkelbereich keine
Aussagen über die
Grenzschichtdurchmischung gemacht werden kann. Zwischen θ=0∘
bis etwa
θ=60∘ zeigten RBS-Messungen, dass der Mischeffekt mit
zunehmender Verkippung der
Probenoberfläche bezüglich der Strahlrichtung abnimmt, was auf
einen stark anisotropen
eindimensionalen Charakter des Atomtransports in Richtung der
aufgeschmolzenen Ionenspur
hindeutet.