Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Ionenimplantation: Nanocluster- und Schichtsynthese

DS 24.2: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 10:45–11:00, HS 32

Einfluß der Temperatur auf die Bildung einkristalliner Aluminiumschichten in Al-implantiertem Saphir — •M. Bronner, J.K.N. Lindner und B. Stritzker — Universität Augsburg, 86135 Augsburg

Durch Hochdosis-Aluminiumimplantation in c-Achsen orientierten Saphir lassen sich bei Temperaturen oberhalb von 500^∘C vergrabene Al-Schichten herstellen. Obwohl es zwei äquivalente Möglichkeiten der Kristallorientierung der Al-Phase bzgl. des Saphirs gibt, erhält man beim Zusammenwachsen der teilkohärenten Al-Ausscheidungen einkristalline Schichten, wie XRD- und XTEM- Untersuchungen zeigen. Es wird im Dosisbereich von 1.5-12 x 10¹⁷ Al/cm² der Einfluß der Targettemperatur (350-550^∘C) auf die Ausscheidungs- und Schichtbildung mittels RBS, XTEM und XRD untersucht. Bei Implantationstemperaturen unterhalb von 500^∘C bildet sich eine Al-Schicht, in der beide Orientierungen gleich stark vertreten sind. Durch eine anschließende Temperbehandlung kann diese in eine einkristalline Al-Schicht umgewandelt werden.