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DS: Dünne Schichten

DS 26: FV-internes Symposium „Strukturbildung durch Ionenstrahlen“ Teil II

DS 26.3: Hauptvortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–17:00, HS 32

Hochdosis-Kohlenstoff-Implantationen in Silizium: Mit Grundlagenuntersuchungen zu neuen technologischen Tricks — •Jörg K.N. Lindner — Universität Augsburg, Institut für Physik

Hochdosis-Kohlenstoff-Implantationen bieten vielseitige Möglichkeiten, die Oberfläche von Siliziumwafern vorteilhaft zu modifizieren. Diese beruhen auf der geringen Löslichkeit von Kohlenstoff in Silizium, seiner an Punktdefekte gekoppelten Diffusion sowie der Fähigkeit, mit Silizium die stabile Verbindung SiC einzugehen. SiC ist ein Breitbandhalbleiter, der eine Fülle von herausragenden elektrischen, mechanischen und chemischen Eigenschaften bietet und dessen schwierige Herstellung als epitaktischer Dünnfilm auf Si-Oberflächen großes Interesse findet.

Der Vortrag behandelt, wie und warum sich bei Kohlenstoffimplantationen nanometrische, amorphe oder kristalline Siliziumkarbid-Ausscheidungen bilden, warum sich diese z.T. periodisch anordnen und wie diese mit Defekten in ihrer Umgebung wechselwirken (defect engineering). Es wird gezeigt, wie man durch Kontrolle des Dichteprofils dieser Nanopartikel vergrabene einkristalline 3C-SiC-Schichten in Si synthetisieren kann und wie solche vergrabenen Schichten an die Oberfläche gebracht werden können, so daß großflächige kristalline SiC/Si-Pseudosubstrate (mit großem Anwendungspotenzial) entstehen. Es wird auch gezeigt, wie sich vergrabene SiC-Schichten durch Ionenstrahlsynthese mit Isolations- und metallischen Silizidschichten kombinieren lassen. Der Vortrag schließt mit Untersuchungen zur lokalen Kohlenstoffverteilung in vergrabenen SiC-Mikrostrukturen, die mittels Ionenstrahlprojektion hergestellt werden.