Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 27: Postersitzung

DS 27.10: Poster

Dienstag, 12. März 2002, 15:30–17:30, Poster Physik B

Herstellung der kubischen metastabilen c-FeSi-Phase mittels Molekularstrahlepitaxie und Ionenimplantation — •M. Walterfang¹, W. Keune¹ und H. Reuther² — ¹Angewandte Physik, Gerhard-Mercator-Universität Duisburg, 47048 Duisburg — ²Forschungszentrum Rossendorf e.V., Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, 01314 Dresden

Zur Herstellung einer epitaktischen kubischen metastabilen c-FeSi-Schicht wurde auf einen MgO(100)-Wafer zunächst bei 200^∘C eine 30 Å dicke Pufferschicht aus natürlichem Eisen aufgedampft. Darauf wurde bei RT eine 100 Å dicke ⁵⁷FeSi_0.92-Legierungsschicht durch Simultanverdampfen von ⁵⁷Fe und Si aufgewachsen. Diese wurde mit einer 50 Å dicken Si-Schicht abgedeckt, bevor die Probe 20 Minuten lang bei 250^∘C getempert wurde. Die bei RT, 80 K und 4.2 K gemessenen ⁵⁷Fe-Mössbauer(CEM-)Spektren wurden jeweils mit einer Einzellinie plus einer Quadrupolverteilung angepaßt. Mit abnehmender Temperatur tritt eine Linienverbreiterung auf, die möglicherweise auf zunehmende Quadrupolwechselwirkung aufgrund stärker werdender Gitterverzerrung zurückzuführen ist. Die Isomerieverschiebung der Einzellinie stimmt gut mit den Literaturwerten anderer epitaktischer c-FeSi-Schichten, sowie mit dem Wert der Isomerieverschiebung für c-FeSi, welches von uns mittels Ionenimplantation [Fe⁺ Ionen (50 bzw. 100 keV, 5 x 10¹⁷ cm⁻²) implantiert in Si(111)] hergestellt wurde [1,2], überein.
H. Reuther, Surf. and Interf. Anal. 22, 547 (1994)
H. Reuther, Hyperfine Interactions 95, 161 (1995) Gefördert durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft.