Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 27: Postersitzung

DS 27.18: Poster

Dienstag, 12. März 2002, 15:30–17:30, Poster Physik B

Mechanismen der Texturausbildung bei der inonenstrahlunterstützer Filmabscheidung — •Christian Thiele¹, Karola Thiele¹, Jürgen Dzick², Lars Kautschor¹, Sibylle Sievers¹, Jörg Hoffmann² und Herbert C. Freyhardt^1,2 — ¹Institut für Materialphysik, Universität Göttingen, 37073 Göttingen — ²Zentrum für Funktionswerkstoffe gem. GmbH ZFW, 37073 Göttingen

Bei einer Reihe von Materialien ist eine Abscheidung in Form dünner biaxial texturierter Schichten auf beliebigen Substraten möglich, falls während der Filmabscheidung äußere Zwangsbedingungen eingehalten werden. Durch Beschuss mit einem unterstützenden Ionenstrahl während des Aufwachsprozesses (IBAD) kann eine Vorzugsorientierung erzwungen werden. Die mikroskopischen Mechanismen, die zur Texturausbildung führen, wurden untersucht. Es werden Ergebnisse zur IBAD-Texturierbarkeit von Materialien mit unterschiedlicher Gitterstruktur vorgestellt. Es handelt sich insb. um die keramischen Werkstoffe Yttrium-Zirkonoxid in kubischer (YSZ) und tetragonaler (PSZ) Form und um Indium-Zinnoxid (ITO), die als Puffer für Bandleiter von Interesse sind. Die Ausbildung von Textur und Mikrostruktur wurde mittels Röntgendiffraktometrie, Transmissionselektronenmikroskopie und RHEED untersucht. Im Verlauf des Schichtwachstums laufen verschiedene Prozesse parallel ab. So kommt es z.B. zu einem Überwachsen fehlorientierter Körner und zu einer kontinuierlichen Rotation der Kristallorientierung innerhalb einzelner Kristallite. Verschiedene texturbildende Mechanismen werden diskutiert werden.